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        武漢新特光電技術有限公司

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        STEK系列普克爾盒【新特光電】

        發布時間:2020-12-15 14:03

        STEK系列KTP普克爾盒

        STEK-PCK KTP普克爾盒是用特殊生長的高電阻率KTP晶體制成的新產品系列。KTP晶體比RTP晶體具有更好的光學均勻性和更高的損傷閾值。其突出特點是可以在高占空比下運行KTP開關的同時還可時長時間保持高電壓。

        STEK系列KTP普克爾盒

        主要應用

        • 高重復率激光器1 kHz-1 MHz的調Q

        • 高重復率激光器的脈沖選擇器

        主要特點

        • 相較于雙BBO普克爾盒電池電壓要求小

        • 高占空比運行

        • 極低的壓電共振

        • 標準通光孔徑:4x4、6x6和8x8 mm

        型號 STEK-PCK4 STEK-PCK4-O STEK-PCK6 STEK-PCK6-O
        通光孔徑, mm 3.5 3.5 5.5 3.5
        晶體尺寸 (寬x高x長), mm 4x4x10 4x4x10 6x6x10 4x4x10
        晶體數量 2 2 2 2
        半波電壓 (@ 1064 nm), kV DC <1.8 <1.8 <2.5 <1.8
        電容, pF 4 4 <6 4
        光通過率, % >98 >98 >98 >98
        對比率 >1:500 >1:500 >1:500 >1:500
        外形尺寸, mm Ø25.4x42.2 25x11.1x7.5 Ø25.4x42.2 25x13.8x10.6

        STEK系列KD*P普克爾盒

        普克爾盒的作用是在KD*P等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態。當它與偏振器一起使用時,普克爾盒可以用作快速關斷開關。典型應用包括激光腔的調Q,實現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。KD*P普克爾盒通常用于400~1.1μm的調Q應用。市面大多數燈泵浦Nd:YAG激光器和低重復率半導體Nd:YAG激光器的激光腔調Q開關都是使用KD*P普克爾盒。所有的電光KD*P晶體都鍍有高損傷閾值AR膜層。此外,STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克爾盒還特有AR鍍膜窗口,可以保護和提高此產品在不太好的環境中的使用壽命。

        主要特點

        • 價格經濟

        • 結構緊湊

        • 低光吸收

        • 光傳輸范圍400-1100nm

        主要應用

        • 激光腔調Q

        • 激光腔倒空

        產品型號 STEK-PC5S STEK-PC5D STEK-PC10S STEK-D-Compact/ 9 STEK-D-Compact/12
        通光孔徑, mm 4.5x4.5 4.5x4.5 9.5x9.5 Ø8 Ø11
        晶體尺寸 (寬x高x長)mm 5x5x16 5x5x16 10x10x25 Ø9x20 Ø12x24
        晶體數量 1 2 1 1 1
        λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC <6.5 <3.4 <6.8 <6.8 <6.8
        電容, pF 1.5 3 4 6 6
        光通過率, % >97 >97 >97 >97 >97
        對比度1) > 1:2000 >1:1000 >1:2000 >1:2000 >1:2000
        尺寸, mm 18x14x25 23x16x52 22x18x33 Ø25.4x35 Ø25.4x39

        1) 交叉極化法測量。所有的晶體鍍鏌層 AR/AR@1064 nm. 可根據客戶要求提供其他鍍膜,損傷閾值>5 J/cm2,1064 nm, 10ns

        產品型號 STEK-PC12SR STEK-PCR12SR-532 STEK-PCR12SR-694
        通光孔徑, mm Ø 11 Ø 11 Ø 11
        晶體尺寸 (寬x高x長)mm Ø 12x24 Ø 12x24 Ø 12x24
        晶體數量 1 1 1
        λ/2 半波電壓 1064nm, kV DC @1064 nm
        <6.8 kV DC
        @532 nm
        <3.5 kV DC
        @694 nm
        <4.5 kV DC
        電容, pF 6 6 6
        光通過率, % >97 >96 >97
        對比度1) >1:2000 >1:2000 >1:2000
        尺寸, mm Ø 35 x 41.4 Ø 35 x 41.4 Ø 35 x 41.4

        交叉極化法測量

        STEK系列BBO普克爾盒

        此系列普克爾盒是在BBO等電光晶體的電極上施壓用來改變通過這些晶體的的光的偏振態。當與偏振器一起使用時,它可以用作快速關斷開關。典型應用包括激光腔的調Q,實現激光腔倒空將光注入或從再生放大器中耦合出來。BBO普克爾盒通常用在從紫外到2μm以上的波長范圍。PCB系列的普克爾盒是橫向磁場器件。BBO電光系數低,工作電壓高。四分之一波電壓與電極間距和晶體長度的比稚正比。因此,小通光孔徑的普克爾合的四分之一波電壓也較低。對于通光孔徑達到2.5mm的普克爾盒 ,其四分之一波電壓高達4kv@1064nm。此產品采用雙晶體設計以降低所需電壓,并可在半波模式下快速切換。

        主要特點

        • 減小壓電振鈴

        • 低吸收

        • 陶瓷孔徑

        • 200 nm~ 2000 nm傳輸范圍

        • 結構緊湊

        主要應用

        • 高重復頻率的半導體Q開關

        • 高重復頻率的再生放大器控制

        • 腔倒空

        • 束流脈沖調制

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