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        光伏儲能逆變器用混合SiC-IGBT單管

        發布時間:2022-06-14 07:41
        BASiC本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC本半導體混合SiC-IGBT模塊,BASiC本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,戶用光伏逆變器,儲能變流器,光儲一體機,PCS雙向變流器等新能源領域。

        現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅IGBT配合硅FRD性能已無法完全滿足要求,需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此,本半導體推出的混合碳化硅分立器件(Hybrid SiC Discrete Devices)將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特二極管技術相結合,為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。

        該器件將傳統的硅IGBT和碳化硅肖特二極管合封,在部分應用中可以替代傳統的IGBT (硅IGBT與硅快恢復二極管合封),使得IGBT的開關損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之間,在某些場合性價比更優于超結MOSFET和碳化硅MOSFET,可幫助客戶在性能和成本之間取得更好的平衡,具有重要的應用價值,特別適用于對功率密度提升有需求,同時更強調性價比的電源應用領域,如車載電源充電機(OBC)、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、UPS等。

        PFC技術趨勢
        在電源研發領域,尤其是在汽車OBC和通信電源應用領域,由于PFC拓撲的設計可鐘影響到電力轉換系統效率的高低,使得這一關鍵因素在近年來變得愈發重要。為進一步提高電源的工作效率,科研人員和工程師們已經研究出多種不同的PFC拓撲結構,如傳統的PFC拓撲、普通無橋PFC、雙升壓無橋PFC,圖騰柱無橋PFC等,并已成功大范圍應用在設計過程中。

        表1  對比四種常見的PFC拓撲電路

        對比上述四種常見的PFC拓撲結構,圖騰柱無橋PFC拓撲的器件用量僅為6,同時還具有導通損耗低、效率高等優點,因此在車載OBC及通信電源等高效應用方面已有量產項目采用圖騰柱無橋PFC取代傳統的PFC或交錯并聯PFC。
        因此本文除闡述圖騰柱無橋PFC的優勢和工作原理之外,將重點介紹圖騰柱無橋PFC的功率半導體器件選型,并給出性能和成
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